七个月前，该公司公布了HBM3E的开发消息HBM（高带宽内存）是一种高价值、高性能的内存，与传统的DRAM产品相比，可垂直互连多个DRAM芯片并显着提高数据处理速度。

HBM3E是HBM3的扩展版本，是继HBM、HBM2、HBM2E和HBM3之后的第五代 HBM。

SK海力士表示，预计HBM3E的成功量产将有助于巩固其在AI内存领域的领导地位，并应对全球大型科技公司对AI半导体性能更强的需求。SK海力士希望其HBM3E在这个快速发展的市场中发挥主导作用。

HBM3E每秒可处理高达1.18TB的数据，相当于在一秒钟内处理230多部全高清电影（每部5GB）。

由于 AI 内存以极高的速度运行，因此控制热量是AI内存所需的另一个关键资格。SK海力士的HBM3E采用先进的MR-MUF工艺，与上一代产品相比，散热性能提升了10%。

MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）是将半导体芯片堆叠起来，并在其之间注入液体保护材料以保护芯片之间的电路，然后对其进行硬化的过程。事实证明，与为每个芯片堆堆铺设薄膜型材料的方法相比，该工艺在散热方面更加高效和有效。

SK海力士先进的MR-MUF技术对于确保HBM生态系统供应侧的稳定量产至关重要，因为可以降低堆叠芯片的压力，同时采用该工艺也改善了翘曲控制。

SK海力士HBM业务负责人Sungsoo Ryu表示，HBM3E的量产已经完善了公司的AI内存产品阵容。SK海力士高管表示：“公司通过全球首次HBM3E投入量产，进一步强化了领先用于AI的存储器业界的产品线，将进一步夯实与客户的关系，并巩固全方位人工智能存储器供应商的地位。”。